【新闻】明年内存封测仍是卖方市场电话终端

为了配合Vista的上市，不仅DRAM厂全力冲刺产能，包括英特尔、超微、NVIDIA在内的芯片组及绘图芯片业者，也预计明年第二季后推出新产品。而以各家芯片组厂的技术蓝图来看，明年第二季后，芯片组前端总线（FSB）已支持至八○○MHz至一三三三MHz，代表DDR2-800MHz、DDR2-1024MHz将在明年下半年开始跃升至主流地位。 　　明年DRAM市场将有规格交替及制程微缩等二大重头戏上演，不论规格交替速度快不快，制程微缩会不会出现良率不稳定问题，导致量产时间一再延后，规格交替及制程微缩都需要庞大的测试产能支持。因此对DRAM厂来说，明年要担心的不是十二吋厂有多少产能会开出来，而是后段测试产能是否足够支持。 　　以目前存储器试厂力成、南茂集团、华东科技、联测、福懋科技等的明年产能扩充计划来看，其实也只是跟着DRAM厂产能走，并刻意维持测试产能吃紧，以利争取更大的获利空间。当然DRAM厂也看到这个问题，力晶才会拉拢日月光合资成立封测厂日月鸿，南亚科利用台塑集团之力扶植福懋科技，海力士也才会与联测及南茂洽谈可能的合作计划。 　　所以不论明年有多少封测厂进军内存封测市场，以DRAM厂明年开出的产能及位成长率来看，明年内存封测市场将会是卖方市场，封测厂对封装测试价格还是有很强的掌握力。因此许多分析师已陆续调高内存封测厂力成、南茂、华东等投资评等，并认为明年内存封测全年供不应求情况发生机率非常高。 　　至于对DRAM价格的影响部份，明年第二季虽是淡季，但受制于DRAM测试产能不足，届时需要完整测试的OEM合约市场，DRAM供给看来还是不足，不需太多测试现货市场，价格则有很大修正空间。也难怪DRAM厂对明年景气看法乐观，在后段测试产能不足瓶颈的前题下，明年的DRAM合约市场还有很好的市况可以期待。

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